CGD65B200S2-T13

CGD65B200S2-T13

部品番号
CGD65B200S2-T13
製品カテゴリ
シングルFET、MOSFET
メーカー
Cambridge GaN Devices
説明する
650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.
カプセル化
-
パッケージ
テープ＆リール（TR）
ROHSステータス
Yes
価格
USD $2.6845
データシート
量
問い合わせ
在庫あり: 4365
最小 : 5000
複数 : 1
量
単価
価格
1
$2.6845
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10
$2.2538
$22.5380
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$1.8231
$182.3100
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$1.6225
$811.2500
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仕様
交通機関
データシート
タイプ説明
製造元Cambridge GaN Devices
シリーズICeGaN™
パッケージテープ＆リール（TR）
製品の状態ACTIVE
パッケージ・ケース8-PowerVDFN
取付タイプSurface Mount
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
テクノロジーGaNFET (Gallium Nitride)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C8.5A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs280mOhm @ 600mA, 12V
FETの特徴Current Sensing
Vgs(th) (最大) @ ID4.2V @ 2.75mA
サプライヤーデバイスパッケージ8-DFN (5x6)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)9V, 20V
Vgs (最大)+20V, -1V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)650 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs1.4 nC @ 12 V

送料


送料は 40 ドルから始まりますが、国によっては 40 ドルを超える場合があります。例 (南アフリカ、ブラジル、インド、パキスタン、イスラエルなど)
基本配送料 (梱包 ≤0.5kg または対応する容積) は、タイムゾーンと国によって異なります。


郵送方法


現在、当社の製品はDHL、FedEx、SF、UPSを通じて発送されています。


納期


商品の発送後の推定配達時間は、選択した配送方法によって異なります。

フェデックス インターナショナル、5 ～ 7 営業日。

以下は、いくつかの一般的な国の物流時間です。

transport

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